[ناصر اللحياني]

اسـم الطالب:
هيفاء محمد التومة
المشرف:
د. أظهر أحمد أنصاري ، د. فهد مسعود المرزوقي

عنوان الرسالة:
تحليل الاعتماد الحراري لقياسات السعة والجهد علي ثنائيات شوتكي من زرنيخيد الجاليوم

هذه الأطروحة تقدم تحليلاً لبيانات قياسات (السعه – الجهد – درجة الحرارة) التي أجريت على إثنين من ثنائيات شوتكي المصنوعه من مادة زرنيخيد الجاليوم . ومن خلال النتائج التي تم الحصول عليها عملياً تم حساب مجموعة من الخواص المهمه لزرنيخيد الجاليوم مثل كثافة الشوائب المضافه بالتطعيم وحساب جهد الإنتشار وعمق منطقة الإستنفاذ وغيرها. وقد لوحظ أنه من خلال النتائج العمليه بأن السلوك العام للثنائيين لا يتبع النظريه البسيطة لشوتكي وهذا الإنحراف يرجع لوجود مستويات عميقه يظهر تأثيرها عند درجة الحراره أو زيادة جهد الإنحياز العكسي. وأخيراً تم إقتراح نموذجاً لنطاق الطاقة للثنائيين يتفق وجميع النتائج العملية.

English

An analysis of capacitance-voltage- temperature (C-V-T) data has been performed on epitaxially grown GaAs Schottky diodes. Doping density, doping profile and built-in potential have been determined from experimental results. Built-in potential between 250K and 300K is found to be temperature independent and has a value between 0.75V and 0.8 V. This is in good agreement with reported values for GaAs Schottky diodes and is also consistent with the forward drop determined experimentally for these diodes. The built-in potential decreases with temperature above 300K and becomes as low as 0.25 Vat 375 K. This behaviour cannot, be explained on the basis of the simple theory of Schottky diodes. A model for Schottky barrier has been suggested which incorporates the combined action of surface states and deep traps. All the experimental observations can be satisfactorily explained qualitatively on the basis of this model.