[الحث الكهرومغناطيسي]

لو سمحتوا ياجماعة الخير
كيف يتم تصخيم التيار وفرق الجهد في الترانزستوﻻ

الكتاب مش واضح

[الحث الكهرومغناطيسي]

ارجوا الرد

[الحث الكهرومغناطيسي]

رجاء الرد الكتاب غير واضح

[الحث الكهرومغناطيسي]

كيف يتم تضحيم الجهد و التيار في الترانزستور الكتاب مش واضح

[الحث الكهرومغناطيسي]

تضخيم الجهد والتيار الكتاب مش واضح

[الحث الكهرومغناطيسي]

اريد جوابا جزاكم الله كل خير

[الحث الكهرومغناطيسي]

لماذا ﻻيوجد رد معقولة مااحد عنده جواب

[zizo habli]

هناك ثلاثه طرق يعمل بها الترانزيستور كمضخم أو ثلاثة أشكال .



نفهم من ذلك أن أي طرف ممكن أن يكون جزءا من دائرة الدخول والخروج بنفس الوقت.



كلمة أكثر إيجابي سنستعملها في الشرح , وفي الصوره أعلاه توضيح لما نقصد ,

فمثلا لو أخذت ثلاثة مقاومات بترتيب تسلسلي ووضعتها على جهد 12 فولت.

تلاحظ أنني من كل مقاومه أنتج جهد 4 فولت , لاحظ كل مقاومه وكأن لها طرف

إيجابي وسلبي خاص بها وبنفس الوقت عنصر من المجموعه ككل . أنظر المقاومه

2 , إذا قست الجهد بين أ و ب . فهو 4 فولت . وبين أ و ت فهو 8 فولت .

فأقول النقطه أ أكثر إيجابيه بالنسبه للنقطه ت منه للنقطه ب .

سأستعمل عبارة تحويل الجهد إلى تيار والعكس . تحويل التيار إلى جهد , وفي كلا

الحالتين المقصود إستعمال المقاومه لتقوم بهذا الدور , كما في الصوره أدناه .



الدوائر التي شرحتها أعلاه , ومن ضمنها دائرة التضخيم ذات المشع المشترك ,

حيث الميكروفون والسبيكر , كانت دوائر نظريه تقربنا من معرفة دائرة المدخل

ودائرة المخرج , ووضعنا في الجو المطلوب ..... إلخ ... لكن تقطيب الترانزيستور

يختلف عن ذلك بكثير , فأبسطها , إذا كنا بحاجه لثلاث بطاريات لتشغيل الترانزيستور ,

فتلك مصيبة كبيره .

قبل الدخول في موضوع التقطيب الحقيقي للترانسيستور في حالة المشع المشترك

أود ذكر ما يلي :

1- الترانزيستور NPN يمكن تصوره كدايودان , لكن القاعده تشكل جزء من

نقطتي لحام كل دايود , فلا تتصور أنك بوضع دايودان تكون قد إخترعت ترانسيستور جديد .

2- لكي يعمل الترانزيستور NPN القاعده , يجب أن يكون هناك دائما 0.6 فولت

بين القاعده والمشع ..... القاعده دائما 0.6 فولت أكثر إيجابيه من المشع .

3- أي إشاره تصل للقاعده أقل من 0.6فولت , لا يسير لها تيار في القاعده ,

ولن يكون لها إثر على الإطلاق في المجمع .

4- القاعده بحاجه للتيار كي تتحكم بتيار المجمع وليس لجهد.

5- المجمع مصدر للتيار وليس للجهد .

6- المجمع نستخرج منه جهدا بوضع مقاومه بينه وبين مصدر التغذيه .

7- المجمع ذا ممانعه أو مقاومه عاليه مقارنة بالمشع .

8- الترانزيستور يخرج الإشاره المضخمه من المشع أو المجمع أو الإثنين معا .



9- عندما يكون هناك مقاومه للمجمع Rc مجـ التضخيم الذي نحصل عليه هو تضخيم للجهد .

10- عندما نعمل فقط بمقاومة مشع Re مشـ لا نستطيع القول أنه كان هناك تضخيما للجهد ,

لأن المشع دائما أقل جهدا من القاعده ب 0.6فولت , ولكن مع زيادة تيار القاعده , يزداد تيار

المشع بكميه أكبر , فنستطيع القول بأن هناك تضخيما للتيار .

11- عندما تصبح أكبر ممانعة المجمع فلا يستطيع قيادة ممانعه دخول أصغر.

12- عندما تصبح ممانعة المشع أقل يستطيع قيادة ممانعه أقل للمدخل.

13- ربح الجهد من المجمع أكبر من واحد .

14- ربح الجهد من المشع أقل من واحد.


هنا الشرح بالصور http://tech2008.50webs.com/10th1/tra...ransistor.htm‏

[الحث الكهرومغناطيسي]

عزيزتي يعطيك العافية

لكن ابغى توضيح اكثر

[الحث الكهرومغناطيسي]

الشرح مطول
ممكن باختصار