ملتقى الفيزيائيين العرب > منتديات أقسام الفيزياء > منتدى الفيزياء الكهربائية والمغناطيسية. | ||
تأثيرات مجال مغناطيسي خارجي منتظم على الخصائص المغناطيسية لنظام هيزنبيرغ التناقطبي |
الملاحظات |
|
أدوات الموضوع | انواع عرض الموضوع |
#1
|
|||
|
|||
تأثيرات مجال مغناطيسي خارجي منتظم على الخصائص المغناطيسية لنظام هيزنبيرغ التناقطبي
الملخص في هذا البحث تمت دراسة التأثيرات الناشئة عن مجال مغناطيسي خارجي منتظم على الخواص المغناطيسية لشبكية مربعة لنظام هايزنبرغ ثنا قطبي فيرومغناطيسي مضاد ببعد (32×32)، على درجات حرارة مختلفة باستخدام طريقة مونت كارلو. افترضت هذه الدراسة ان العزوم المغناطيسية عبارة عن عزوم كلاسيكية وتتفاعل فيما بينها من خلال تأثيرات التبادلية من نوع الفيرومغناطيسية المضادة مع الايونات المجاورة القريبة وكذلك التأثيرات الثنا قطبية ذات المدى الطويل إضافة إلى المجال المغناطيسي الخارجي المنتظم الذي يؤثر باتجاه المحور السيني للشبكية.أثناء الدراسة تم تثبيت مقدار عامل التأثيرات التبادلية J/g (نوع الفرومغناطيسية المضادة) بين الايونات المتفاعلة على القيمة - 10.0 (حيث تمثل g مقدار عامل التأثيرات الثنا قطبية). من خلال عمليات محاكاة النظام باستخدام طريقة مونت كارلو تم تحديد "شكل الطور" كعلاقة بين تباين الخواص المغناطيسية السطح k/g ودرجة الحرارةT/g ، بيَّنتْ نتائج المحاكاة على درجة حرارة منخفضة و عند قيم أن النظام يفضل أن يكون من طور الفيرومغناطيسية المضاد المستوي حيث تترتب العزوم المغناطيسية الكلاسيكية بشكل موازي لشبكية النظام.و أظهرت نتائج المحاكاة أن النظام يفضل أن يكون من طور الفيرومغناطيسية المضاد العمودي. كذلك أظهرت نتائج المحاكاة ان النظام يظهر انتقالاً من الدرجة الاولى من طور الفيرومغناطيسية المضاد المستوي الى طور الفيرومغناطيسية المضادة العمودي كلما زادة قيمة /gκ، و عند درجات حرارة منخفضة جدا و مع ازدياد قيمة المجال المغناطيسي الخارجي المؤثر على النظام أظهرت الدراسة نقصان في قيمة ميل خط الانتقال الفاصل بين طور الفيرومغناطيسية المضادة المستوي وطور الفيرومغناطيسية المضادة العمودي، بينما عند قيم مختلفة ل /gκ ، أظهرت نتائج مونت كارلو ان النظام يظهر انتفالاً( من الدرجة الثانية ) من طور الفيرومغناطيسية المضادة إلى طور البارامغناطيسية عند ازدياد درجات الحرارة .بالإضافة إلى ذلك بينت نتائج الدراسة حدوث انكماش في طور الفيرومغناطيسية المضاد (المستوي و العمودي) مع زيادة قيمة المجال المغناطيسي الخارجي المؤثر على النظام.
http://www.najah.edu/thesis/650.pdf |
الذين يشاهدون محتوى الموضوع الآن : 1 ( الأعضاء 0 والزوار 1) | |
انواع عرض الموضوع |
الانتقال إلى العرض العادي |
الانتقال إلى العرض المتطور |
العرض الشجري |
|
|