أهلا وسهلا بك إلى ملتقى الفيزيائيين العرب.
أهلا وسهلا بك زائرنا الكريم، إذا كانت هذه زيارتك الأولى للمنتدى، فيرجى التكرم بزيارة صفحة التعليمـــات، بالضغط هنا.
كما يشرفنا أن تقوم بالتسجيل بالضغط هنا إذا رغبت بالمشاركة في المنتدى، أما إذا رغبت بقراءة المواضيع والإطلاع فتفضل بزيارة القسم الذي ترغب أدناه.
| الملاحظات |
|
|
أدوات الموضوع | انواع عرض الموضوع |
|
#1
02-10-2011, 05:49
|
|||
|
|||
|
سعودية تحصل على 3 براءات اختراع في تقنية النانو
أحدهم حول التحكم المكاني في نمو أسلاك السيلكون النانوية سعودية تحصل على 3 براءات اختراع في تقنية النانو  فهد المنجومي- سبق- مكة المكرمة: حصلت وكيلة معهد البحوث العلمية وإحياء التراث الإسلامي عضو هيئة التدريس بقسم الفيزياء بكلية العلوم التطبيقية بجامعة أم القرى الدكتورة مها بنت محمد عمر خياط على عدد من براءات الاختراع في مجال تقنية النانو والخلايا الشمسية، سجلت ثلاثاً منها من قبل شركة آي بي إم بالولايات المتحدة الأمريكية (الشريك التقني لمدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية). وأوضحت الدكتورة مها أن الاختراع الأول يتمثل في التحكم المكاني في نمو أسلاك السيلكون النانوية باستخدام تفاعل كيميائي في مدى النانومتر للعناصر النشطة كيميائياً، بإيجاد طريقة جديدة للتحكم المكاني في نمو أسلاك أشباه الموصلات النانوية على سطح أشباه المواد الشبه موصلة، باستخدام مواد قابلة للتأكسد مثل الألمنيوم لتحفيز نمو الأسلاك النانوية فوق طبقة من ثاني أكسيد السيلكون سبق تكوينها على سطح شبه الموصل عبر عدد أقل من الخطوات التقنية.
__________________
سبحان الله والحمد لله ولا إله إلا الله والله أكبر ولا حول ولاقوة إلا بالله
|
«
الموضوع السابق
|
الموضوع التالي
»
| الذين يشاهدون محتوى الموضوع الآن : 1 ( الأعضاء 0 والزوار 1) | |
العرض الشجري
|
|
الساعة الآن 20:49