[mysterious_man]

السلام عليكم ورحمة الله وبركاته
فيزياء الجوامد .. ممممم ... إنه تخصص شيق
أقترح إحد الموضوعات الآتية:... وتندرج كل الاقتراحات
1- تأثرالمنحنيات الأساسية للمتغتيرات بيت الفولتية والتيار للترانزيزستور Mos transistor نتيجة لنقص سمك بوابة الترانزيستور (gate) والتناقص الشديد في channel length والذي يؤدي إلى نتائج غير محسوبة مثل الآتي:
أ- زيادة التيار النفقي (tunneling current) الذي يعبر من خلال الـgate مما يؤدي إلى تغيرات في اساليب التصميم باستخدام الترانزستور الذي اصله الا يمرر تيار في البوابة لأنها عازلة
ب- زيادة تأثير short channel effects مع تقليل طول القناة channel length

2- دراسة مجموعة أخري من الترانزستورات مثل الترانزتور وحيد الالكترون single-electron transistor

إن كانت المواضيع مناسبة أرجو إخباري
إن لم تكن أرجو إخباري أيضاً
السلام عليكم ورحمة الله وبركاته